白色面具 闪迪正在研发颠覆性内存？
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自拍别人女友在线有迹象标明，Sandisk Corp. 正在寻求在一位管束英特尔基于 3D XPoint 的 Optane 内存业务的高管的引导下创建一种非易失性相变内存。
2025 年 2 月，Sandisk 从数据存储公司西部数据分拆出来，其时该公司暗示，它狡计提供闪存家具，同期致力于于树立新兴的颠覆性内存技能。
在2月11日分拆前不久举行的Sandisk投资者日上，行将上任的内存技能高等副总裁Alper Ilkbahar描绘了他称之为3D矩阵内存的技能，以为这是公司异日的发展标的。在2022年2月加入西部数据/Sandisk之前，Ilkbahar自2016年9月起在英特尔使命；当先担任数据中心内存总司理，并从2020年10月起担任傲腾内存业务司理。
Ilkbahar 在演讲中暗示，Sandisk 自 2017 年以来一直致力于于 3D 矩阵存储器技能的盘问，并通过与比利时鲁汶 IMEC 的归并插足了“家具化阶段”，该神态于 2024 年启动，名为“Project Neo”。两边将不时归并，以弥合“现实室到晶圆厂的差距”，Ilkbahar 暗示，这在使用“新材料组合”时尤为必要。
伊尔克巴哈尔在演讲中并未透露3D矩阵存储器的材料建立或运行旨趣。他致使莫得评释这是一种非易失性存储器，但琢磨到他本东说念主在英特尔的履历，以及他表现该技能正被好意思国政府用作非易失性政策抗放射存储器树立协议的基础，相变技能清晰是一项颇具竞争力的技能。
此外，Ilkbahar 在会议上援用的两张图表高傲，3D Matrix Memory 与英特尔的 3D XPoint 内存有着惊东说念主的相通之处，后者瑕瑜易失性的，多半被以为是基于硫族化物相变技能。
层XYX交叉点存储器堆栈是其一个相通之处。另一个相通之处是存储器单位中高度受限或截断的圆顶状暗影，这可能是热驱动相变器件的一个特征，尽管图像辞别率较低，因此无法得出论断。磁阻立地存取存储器 (MRAM) 也用于抗放射存储器，但横截面图看起来并不像 MRAM 器件。轮廓琢磨这些成分，不错臆测 3D 矩阵存储器是 PCM 和 3D XPoint 发展道路的延续。
傲腾
3D XPoint 技能由英特尔和好意思光公司于 2006 年运行长入树立，并于 2015 年讲求发布。它是英特尔傲腾内存业务的基础，该业务在履历多年的财务亏空和商场接管有限后，于 2022 年 7 月讲求住手。
阐发英特尔2021年第四季度的财务叙述，傲腾业务在2020年的销售额为3.92亿好意思元，但亏空5.76亿好意思元。从2017年到2022年的家具质命周期来看（不包括多年的研发老本），傲腾业务可能给英特尔酿成了逾越10亿好意思元的损失。2020年10月，英特尔告示以90亿好意思元的价钱将其非易失性存储器和固态硬盘(SSD)业务出售给SK海力士，但傲腾业务被明确排斥在外。
伊尔克巴哈尔在 Sandisk 的演示中暗示：“动作 3D XPoint 内存的发明者，咱们非常自尊地向环球展示一种全新、翻新、可扩张的 3D 架构，旨在提供雷同 DRAM 的性能，容量擢升 4 倍，而位老本裁减一半。”
Ilkbahar 莫得详备评释他提到的 3D XPoint。他不时说说念：“这项技能的中枢是咱们领有一个新颖的存储单位，它使咱们概况扩张到密集阵列架构。在家具层面，咱们狡计将内存诱骗到行业法式的诱骗点，举例 CXL 总线。”
Ilkbahar 向不雅众展示了与 IMEC 归并的树立平台，这是一个 4Gbit 和 8Gbit 内存平台，并谋略向买卖客户提供 32Gbit 和 64Gbit 内存样品。不外，他并未透露这些树立的具体时候表。
ANGSTRM神态
3D矩阵存储器是一种相变存储器，这少量得到了以下事实的支持：2023年，西部数据/Sandisk公司赢得了好意思国空军盘问现实室3500万好意思元的资助，用于在ANGSTRM神态下树立先进的下一代政策抗放射存储器。ANGSTRM神态为期54个月，预测于2028年11月完成。西部数据/Sandisk公司是十家苦求公司中独一的赢家。
ANGSTRM 神态负责树立一种政策性抗放射非易失性存储器，条件单片存储器容量为 4Gbit 至 16Gbit，读/写次数为 10^9 至 10^12，数据保存时候为 10 至 15 年。
PCM 被多半以为是新兴非易失性存储器技能中抗放射性能最好的技能之一，因为它的使命旨趣基于材料相变，而非更容易受到影响的电荷存储。MRAM 也适用于抗放射讹诈，尤其是在天外环境中，因为它自己就具有抗电离放射和其他天外联系危害的才调。
问题
英特尔毁灭了销售傲腾，原因是亏空，这可能与制酿老本和良率低下关联，也可能与3D-NAND和堆叠DRAM等竞争技能在高带宽内存（HBM）方面的校正关联。尽管2020年8月曾预览过四层的第二代组件，但3D XPoint仍难以高出双层建立。
如若 3D 矩阵存储器的非易失性存储器单位基于相变材料，则需要恢复好多问题：
材质套装是啥？
Sandisk 是否已获取英特尔、好意思光和/或其他公司的许可来树立该技能？
3D 矩阵内存与 3D XPoint 有何不同？如若有，那么有何不同？
Sandisk 是否仍是发现英特尔无法处理的技能/商场问题？
Sandisk 能否解释它仍是处理了这些问题？
如若 3D 矩阵存储器基于电阻式 RAM，那么就必须建议不同的问题：
材质套装是啥？
运作旨趣是什麼？
故障方法、操作敏锐性和可靠性问题是什么？
怎么才能使电荷存储非易失性存储器的抗放射性能达到政策水平？
到现在为止，东说念主们以为不再有任何芯片公司追求用于分离式高容量元件的相变存储器，但 Sandisk 可能是这项领有 55 年历史的技能的剩余高容量冠军。
与此同期，意法半导体已将PCM部署到汽车微落拓器等镶嵌式和坚固耐用的讹诈鸿沟（参见意法半导体推出带有镶嵌式相变存储器的MCU样品）。该公司谋略接管三星代工场提供的18nm FDSOI制造工艺来提供镶嵌式PCM。
https://www.eenewseurope.com/en/does-phase-change-memory-ride-again-with-sandisk/
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